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Un design de référence de commande de grille de JFET normalement ouvert de SemiSouth permet une commutation rapide état ouvert / état passant
SemiSouth Laboratories, Inc., fabricant leader de dispositifs en carbure de silicium (SiC) pour applications de conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en environnement difficile, annonce ce jour un design de référence et une note d’application décrivant un circuit de commande de grille optimisé pour une commutation matérielle haute vitesse de puces SiC JFET de la société, à tranchée verticale de type normalement ouvert (normally off). Ce concept permet un passage très rapide à l’état passant / ouvert dans les topologies en pont isolé ; un courant crête de sortie de +6 A / - 3 A permet d’obtenir une transitoire rapide vers l’état passant, établissant un record en terme de faibles pertes de commutation.
Convenant à la commande des JFET 63 / 50 mΩ SJEP120R063 ou SJEP120R050 de SemiSouth, la carte de démonstration SGDR600P1 réalise une commande à deux étapes - commutation et conduction - caractérisée par une fréquence de commutation pouvant atteindre 250 kHz. Le rapport cyclique peut aller de 0 à 100%.
« La note d’application et la carte de démonstration décrivent un circuit de commande qui permet aux concepteurs de tirer profit de nos très petits JFET de haute performance et haut rendement, avec une nomenclature réduite, » commente Dan Schwob, vice-président Ventes et Marketing de SemiSouth. Les applications incluent les topologie en pont à commutation matérielle, les inverseurs/ convertisseurs et les alimentations pour TI/télécoms.
Product Spotlight
APV1111GVY
Panasonic
Panasonic PhotoMOS® Photovoltaic MOSFET High-Power Drivers
| SKU: | |
|---|---|
| Stock: | 3490 |
| Cost: | $3.95 |
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8th August 2024
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