NEC Electronics Europe étend sa gamme de PowerMOSFET SuperJunction1 pour applications automobiles

Par rapport à la technologie « trench » UMOS-4 de NEC Electronics, la technologie SuperJunction1 réduit la charge de grille et la capacité d'entrée de plus de 40 % tout en maintenant un RDS(on) extrêmement faible.



Les nouveaux Power MOSFET NP180N04TUJ et NP180N055TUJ utilisent une architecture et un boîtier innovants conçus pour optimiser la dissipation thermique et réduire les pertes par des niveaux RDS(on)max figurant parmi les plus bas du marché, respectivement de 1,5 et 2,3 mΩ. Spécifiés pour une tension Drain-Source VDS de 40 ou 55 V et des courants ID de 180 A, ces nouveaux composants répondent aux exigences des applications hautes performances telles que les directions assistées électriques (EPS) ou les alterno-démarreurs (ISG) qui requièrent des capacités en courant élevées.



L'ISG est un organe essentiel de nos véhicules futurs, au même titre que les composants électriques toujours plus nombreux ou que l'optimisation du rendement électrique. En plus d'offrir des fonctions conventionnelles de démarreur et d'alternateur, l'ISG peut être utilisé pour exécuter des fonctions supplémentaires d’arrêt et redémarrage, d’accélération ou encore de freinage récupératif.



La gamme compte actuellement huit composants fabriqués avec la technologie SuperJunction1, procédé de diffusion en 0,35 μm. Quatre modèles en développement utilisent également le boîtier 7 broches TO-263 de NEC Electronics, qui supporte un courant maximum pouvant atteindre 180 A. Comme tous les composants de la série NP, ces nouveaux transistors sont qualifiés selon la norme AEC-Q101, sont spécifiés jusqu’à 175°C de température de jonction et ne comportent pas de plomb grâce à la métallisation étain de leurs broches.



Par l'utilisation d'un procédé de diffusion et d'un boîtier sophistiqués, les nouveaux PowerMOSFET SJ1 de NEC Electronics permettent aux concepteurs de relever les défis associés à la création d'applications automobiles.