IR lance des solutions discrètes de forte densité, à puissance et vitesse élevées pour les applications DC-DC automobiles à fort rendement énergétique

Ces nouveaux composants présentent une vitesse de découpage élevée et une forte densité de puissance, et conviennent donc parfaitement aux applications DC-DC haute fréquence comme les convertisseurs DC-DC de forte puissance pour alimentations SMPS utilisés dans les véhicules électriques et hybrides.



Le circuit de commande 600 V à deux canaux AUIRS2191S rend possible le contrôle indépendant des transistors haut et bas d’une topologie en demi-pont. Ce circuit délivre jusqu’à +3.5A/-3,5A (en sortie/en tirage) de courant avec un délai de propagation typique très court de 90ns, pour une réponse plus rapide des transistors au circuit de contôle. Il offre également une commande indépendante des transistors haut et bas pour permettre la personnalisation des temps morts sur les deux canaux, afin de réduire les pertes de puissance et harmoniser les délais de propagation sur les deux canaux. Il bénéficie aussi d’une température de jonction (Tj) allant jusqu’à 150°C, d’un verrouillage en sous-tension sur les deux canaux et d’une broche de masse logique Vss distincte de la broche de masse d’alimentation COM, ce qui augmente son immunité aux transitoires de la tension COM.



L’AUIRS2191S tire profit de méthodes propriétaires de conception de circuits intégrés haute tension et d’une technologie Cmos immunisée contre les blocages, d’où une construction monolithique robuste. Les pilotes de sortie présentent un étage tampon à fort courant pulsé pour y réduire la conduction simultanée. La grille flottante peut être utilisée pour piloter un IGBT ou un MOSFET de puissance canal N dans une configuration côté haut, fonctionnant jusqu’à 600V. De plus, ce circuit se distingue par son immunité aux pics de tension négative, assurant un fonctionnement fiable même sous des conditions sévères de commutation et en cas de court-circuit.



L’IGBT NPT 600V AUIRGP50B60PD1 est encapsulé avec une diode 600V HEXFRED® 25A améliorée, capable de fonctionner à des fréquences de découpage atteignant 150kHz. Il constitue donc un remplaçant idéal des MOSFET dans les applications d’alimentation SMPS haute puissance. Ce nouvel IGBT, qualifié pour l’automobile, tire parti de la technologie des couches minces d’IR qui assure un temps de déplétion des porteurs de charge minoritaires plus court, et donc une coupure plus rapide du composant.



Le courant d’extinction négligeable du composant et ses faibles pertes en commutation à l’extinction (EOFF) permettent aux concepteurs d’atteindre des fréquences de fonctionnement supérieures. Les meilleures performances en découpage combinées à un coefficient thermique positif optimisé et à une charge de grille plus faible à l’allumage, entrainent une densité de courant plus élevée. Le coefficient de température positif assure un partage de courant efficace, fiable et sans risque dans un fonctionnement en parallèle.



“Témoin de la volonté actuelle d’IR de fournir des solutions de pointe dédiées à l’automobile, ces nouveaux composants délivrent le niveau élevé de vitesse et de tension requis par les applications DC-DC automobiles,” explique Marzak Li, responsable marketing pour les produits automobiles chez IR.



Ces composants sont conformes aux standards AEC-Q10x, utilisent des matériaux écologiques, sans plomb et conformes RoHS et font partie de l’initiative d’IR visant le zéro défaut dans l’automobile.