Les Z-RAM d’Innovative Silicon répondent aux attentes des fabricants de mémoires en terme de tension et de substrat

Innovative Silicon, Inc. (ISi), développeur des mémoires Z-RAM à corps flottant et sans capacité, annonce deux avancées majeures de sa technologie. Premièrement, la tension de fonctionnement des cellules mémoires a été ramenée à moins de un volt (1 V), ce qui en fait la cellule mémoire à corps flottant de plus basse tension de l’industrie, et la première à égaler sur ce point les DRAM traditionnelles. Deuxièmement, la technologie Z-RAM utilise désormais des substrats en silicium massif, sans nécessiter de coûteux substrats SOI (silicium sur isolant), et exploite les structures de transistors 3D favorites des fabricants de DRAM. Concrétisées sur un circuit-test fabriqué par Hynix Semiconductor, ces améliorations montrent que la Z-RAM est la seule solution de remplacement de mémoires DRAM qui soit moins coûteuse que les DRAM traditionnelles aux nœuds de 40 nm et moins. De plus, la Z-RAM respecte les contraintes de faible consommation et de basse tension de fonctionnement imposées aux DRAM, et atteint les performances des plus récentes DDRx (Double Data Rate).

« Nous sommes enthousiasmés par les progrès de notre technologie Z-RAM, car ils répondent directement aux attentes des grands fabricants de mémoires, qui veulent disposer de cette technologie sur un substrat de silicium massif, avec des coûts plus bas que toute autre technologie DRAM, en incluant les DRAM conventionnelles, » déclare Mark-Eric Jones, président et CEO d’Innovative Silicon. « Cela fait 40 ans que la DRAM est la RAM faible coût la plus courante ; mais l’industrie est à l’orée d’une transition vers la cellule mémoire sans capacité Z-RAM. »

« Désormais, la technologie Z-RAM dispose de tous les ingrédients nécessaires pour remplacer complètement les puces DRAM, » ajoute Pierre Fazan, chairman et CTO d’ISi. « Elle est implémentée sur du silicium massif et a démontré qu’elle fonctionne avec des tensions de cellules de moins de 1 V, sans dégrader le délai de rétention statique, qui est de plusieurs secondes, et en améliorant le délai de rétention dynamique « perturbé » d’un facteur de plus de 1000. A présent, la tension de fonctionnement de la Z-RAM est de 50 à 75 % plus basse que celle de toute autre mémoire à corps flottant ou à thyristor annoncée à ce jour, et la Z-Ram est la seule technologie à corps flottant à couvrir l’intégralité de la feuille de route de l’ITRS pour les mémoires. »

« Nos efforts conjoints avec ISi continuent à porter leurs fruits, » commente le Dr. Sungjoo Hong, VP d’Hynix Semiconductor pour la R&D en DRAM. « Les avancées en consommation et en tension de nos circuits tests de 54 nm montrent que la Z-RAM a résolu les principaux problèmes des mémoires à corps flottants. Ces résultats confirment tout son potentiel de remplacement des DRAM conventionnelles dans les prochaines générations de mémoires. »

« Le marché des DRAM, qui est le gros marché des mémoires, rencontre des défis colossaux en migrant vers les futurs nœuds technologiques, » remarque Jim Handy d’Objective Analysis. « La technologie des corps flottants est prête à renverser certains de ces obstacles ; avec la Z-RAM désormais sur substrat massif et offrant les mêmes tensions que les DRAM, Innovative Silicon est en bonne position pour aider l’industrie à réduire les coûts au même rythme que la loi de Moore. »
Une communication publiée conjointement par le détenteur de licence Z-RAM Hynix et par ISi, portant sur « les tensions de fonctionnement remarquablement basses de la Z-RAM », a été soumise au VLSI Technology Symposium 2010. Cet exposé révélera plus de détails sur les tensions des cellules. Innovative Silicon donnera des informations sur le fonctionnement basse tension dans le courant de l’année 2010.