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Les doubles MOSFET auto-protégés de Diodes Incorporated offrent une protection complète et une plus grande efficacité thermique

29th July 2010
ES Admin
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Optimisés pour les environnements électriques critiques, les doubles MOSFET auto-protégés low side de Diodes Incorporated offrent une meilleure protection et une plus grande fiabilité globale au niveau système aux applications dans l'automobile et l'industriel. Avec une valeur Rthj-a de 95C°/W, ces composants présentés en boîtier SM8 affichent une efficacité thermique supérieure de 30% à celle de composants concurrents en boîtier SO8, et garantissent ainsi une meilleure dissipation en fonctionnement.
Les derniers-nés de la gamme de produits IntelliFET sont les composants ZXMS6004DT8 et ZXMS6005DT8, des MOSFET canal N 60V qui intègrent des protections multiples (sur-température, sur-courant, surtension et ESD) sur chacun de leurs deux canaux de commutation isolés et indépendants. Les MOSFET sont capables de traiter des courants de charge nominale de 1,2 A et 1,8 A respectivement, et présentent des résistances à l'état passant de seulement 500 mΩ et 200 mΩ respectivement. Les deux composants affichent une valeur d'énergie inductive de 210mJ.



Diodes a également annoncé deux composants supplémentaires à un seul canal : les MOSFET ZXMS6005DG et ZXMS6005SG qui offrent les mêmes protections que les doubles MOSFET et constituent ainsi une solution économique pour remplacer des MOSFET auto-protégés à un seul canal de la concurrence.



Les doubles MOSFET auto-protégés ZXMS6004DT8 et ZXMS6005DT8 sont vendus respectivement pour 0,35 $ et 0,40 $ l'unité, par quantités de 10000 pièces ; les composants ZXMS6005DG et ZXMS6005SG à un seul canal coûtent tous deux 0,3 $ l'unité, par quantités de 10000 pièces. Plus d'informations sur www.diodes.com



IntelliFET est une marque de Diodes Incorporated, enregistrée aux États-Unis et dans de nombreuses autres juridictions dans le monde.



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