SemiSouth annonce des JFET SiC de 1700V/1400mΩ qui simplifient la conception d’alimentations triphasées à allumage rapid

29th May 2012
Written by : ES Admin
SemiSouth annonce des JFET SiC de 1700V/1400mΩ qui simplifient la conception d’alimentations triphasées à allumage rapid
SemiSouth Laboratories, Inc., le fabricant leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, annonce un JFET SiC de 1700 V / 1400 mΩ qui simplifie la conception des circuits d’allumage dans les alimentations auxiliaires triphasées.
Les solutions traditionnelles utilisent soit une résistance de décharge haute tension, responsable d’un démarrage lent pour les basses tensions de ligne et de fortes pertes d’énergie en mode veille, soit des MOSFET qui demandent une protection contre les surcharges et peuvent créer de fortes pertes en cas de court-circuit. Avec un JFET à appauvrissement, les concepteurs obtiennent un allumage rapide sans composants supplémentaires. Nos JFET n’ont pas besoin de dissipateur thermique additionnel pour cette application, explique Nigel Springett, ingénieur d’application.



Un nouveau boîtier CMS D2PAK-7L en cours de développement permettra au SJDT170R1400 de simplifier le routage du circuit imprimé et d’optimiser la performance de commutation grâce à sa plus faible inductance. Ce boîtier présente une ligne de fuite élevée de 6,85 mm afin de supporter les applications de 1700 V, et sa taille est de 16 x 10 x 4,4 mm.



Le SJDT170R1400 deviendra sûrement un standard de-facto pour les alimentations auxiliaires triphasées, car il offre plus d’avantages que les MOSFET haute tension traditionnels et le coût de la solution totale est moindre, ajoute Dieter Liesabeths, Sr. VP Ventes et Marketing.



Dans un premier temps, SemiSouth échantillonne le JFET normalement passant SJDP170R1400 de 1700 V / 1400 mΩ dans un boîtier TO-247-3L ; il échantillonnera le SJDT170R1400 en boîtier CMS D2PAK-7L à ligne de fuite élevée au troisième trimestre 2012


You must be logged in to comment

Write a comment

No comments




Network Headlines

The source for EOL devices

Signup up to view our publications

Sign up

Signup up to view our downloads

Sign up

 

WEBENCH® Designer