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Une famille de MOSFET de puissance 25 V et 30 V hautes performances en boîtier PQFN d’IR offre une solution de forte densité aux alimentations de proximité en secteur industriel

20th December 2010
ES Admin
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International Rectifier, IRÒ (NYSE: IRF), leader mondial en technologie de gestion d’alimentation, annonce aujourd’hui le lancement d’une famille de composants 25 V et 30 V, intégrant ses derniers MOSFET HEXFET® dans un boîtier PQFN de 3x3 mm. Ces composants constituent une solution fiable, efficace et de forte densité pour la conversion DC-DC dans les ordinateurs portables et fixes haut de gamme et les applications télécoms et réseaux.


Grâce à une technologie de fabrication améliorée, le nouveau boîtier PQFN 3x3 mm hautes performances d’IR supporte un courant de charge supérieur de 60 % à celui des composants PQFN 3x3 mm standards, tandis que la résistance globale du boîtier se trouve réduite de manière significative pour offrir une résistance à l’état passant (ou RDS(on)) extrêmement faible. En plus de cette RDS(on) réduite, ce boîtier PQFN hautes performances présente une meilleure conductivité thermique et une fiabilité accrue. Il est conforme au standard industriel MSL1 relatif à la tenue en humidité.



Les avantages de performances de ce boîtier PQFN par rapport aux modèles traditionnels valent également pour les modèles mesurant 5x6 mm et destinés aux applications nécessitant un courant plus élevé.



Cette famille comprend des circuits optimisés pour fonctionner comme MOSFET de commande avec une faible résistance de grille (Rg) minimisant les pertes en commutation. Lorsqu’ils sont utilisés comme MOSFET synchrones, ces composants sont disponibles en configuration FETKY (FET monolithique associé à une diode Schottky) pour améliorer le rendement et les émissions électromagnétiques en réduisant le temps de recouvrement inverse.



“Cette nouvelle famille de circuits encapsulés en boîtier PQFN hautes performances offre une plus grande densité et une fiabilité supérieure, et constitue une solution flexible optimisée pour les applications DC-DC. En outre, avec cette extension de l’offre d’IR en composants PQFN, nos clients peuvent désormais choisir, parmi de nombreuses options de boîtiers, la meilleure pour leur application,” explique George Feng, ingénieur marketing pour les circuits de gestion de puissance chez IR.



Avec une épaisseur inférieure à 1 mm, ces composants sont compatibles avec les techniques de montage en surface existantes, présentent un encombrement standard et sont conformes aux normes RoHS.

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